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首頁-產(chǎn)品系統(tǒng)-體積表面電阻率測試儀-導電及防靜電阻率測試儀-BD-86A半導體電阻率測試儀

半導體電阻率測試儀

更新時間:2024-01-12

簡要描述:BD-86A型半導體電阻率測試儀是根據(jù)四探針測試原理研制成功的新型半導體電阻率測試器,適合半導體器件廠、材料廠用于測量半導體材料(片狀、棒狀)的體電阻率、方塊電阻(薄層電阻),也可以用作測量金屬薄層電阻、導電薄層電阻,具有測量精度高、范圍廣、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、價格低廉等特點。

  • 廠家實力

    Manufacturer Strength
  • 有效保修

    Valid Warranty
  • 質(zhì)量保障

    Quality Assurance

詳細介紹

一、概述

  BD-86A型半導體電阻率測試儀是根據(jù)四探針測試原理研制成功的新型半導體電阻率測試器,適合半導體器件廠、材料廠用于測量半導體材料(片狀、棒狀)的體電阻率、方塊電阻(薄層電阻),也可以用作測量金屬薄層電阻、導電薄層電阻,具有測量精度高、范圍廣、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、價格低廉等特點。

  儀器分為電氣箱和測試架兩大部分,電氣箱由高靈敏度直流數(shù)字電壓表,高穩(wěn)定、高精度的恒流源和高性能的電源變換裝置組成,測量結(jié)果由LED數(shù)字顯示,零位穩(wěn)定,輸入阻抗。在片狀材料測試時,具有系數(shù)修正功能,使用方便。測試架分為固定式和手持式兩種,探頭的探針具有寶石導向,測量精度高、游移率小、耐磨和使用壽命長等特點,而且探針壓力可調(diào),特別適合薄片材料的測量。

  二、主要技術(shù)指標

  1.測量范圍:

  電阻率:10-3--103Ω㎝(可擴展到105Ω㎝),分別率10-4Ω㎝。

  方塊電阻:10-2--104Ω/□(可擴展到106Ω/□),分辨率10-3Ω/□。

  薄層金屬電阻:10-4--105Ω,分辨率10-4Ω。

  2.數(shù)字電壓表:

  電壓表量程為3檔,分別是20mV檔(分辨率10μV);200mV檔(分辨率100μV);2V檔(分辨率1mV)。電壓表測量誤差±0.3%讀數(shù)±1字,輸入阻抗大于109Ω。

  3.恒流源:

  恒流源由交流供電,輸出直流電流0---100mA連續(xù)可調(diào)。恒流源量程為5檔,分別是10μA、100μA、1mA、10mA、100mA;分辨率對應(yīng)是10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA。電流誤差±0.3%讀數(shù)±2字。

  4.測試架:(可選件)

  測試架分為固定和手持兩種,可測半導體材料尺寸為直徑Φ15--Φ600㎜。測試探頭探針間距S=1㎜,探針機械游移率±0.3%,探針壓力可調(diào)。

  5.顯示:3?位LED數(shù)字顯示0-1999,能自動顯示單位、小數(shù)點、極性、過載。

  6.電性能:電性能模擬考核誤差﹤±0.3%,符合ASTM規(guī)定指標。

  7.電源:220V±10%,50Hz或60Hz,功耗﹤30W。

  8.電氣箱外形尺寸:440×320×120㎜。

  三、工作原理

  直流四探針法測試原理簡介如下:

 ?。?)體電阻率測量:

  如圖:當1、2、3、4根金屬探針排成一直線時,并以一定壓力壓在半導體試樣上,在1、4兩處探針間通過電流I,則2、3探針間產(chǎn)生電壓差V。

  材料的電阻率ρ=(V/I)×C (Ω㎝) 3-1

  式3-1中:C為探針系數(shù),由探針幾何位置決定,當試樣電阻率分布均勻,試樣尺寸滿足半無限大條件時,

  C=2π÷=2πFSP 3-2

  式3-2中:S1、S2、S3分別為探針1與2、2與3、3與4之間的距離。當S1=S2=S3=1mm時,則FSP=1,C=2π。若電流取I=C時,

  電阻率ρ=V,可由數(shù)字電壓表直接讀出。

  ①、塊狀和棒狀晶體電阻率測量:由于塊狀和棒狀樣品外形尺寸與探針間距比較,合乎半無限大的邊界條件,電阻率值可以直接由公式3-1、3-2式求出。

 ?、?、薄片電阻率測量:由于薄片樣品厚度和探針的間距相比,不能忽略。測量時要提供樣品的厚度、形狀和測量位置的修正系數(shù)。

  電阻率值可由下面公式得出:

  ρ=V/I×2πS×FSP×G(W/S)×D(d/s)= ρ0×G(W/S)×D(d/s) 3-3

  式中:ρ0 為塊形體電阻率,W為試片厚度,S為探針間距,G(W/S)為樣品厚度修正函數(shù),D(d/s)為樣品形狀和測量位置修正函數(shù)。

 ?、?、方塊電阻、薄層電阻測量:當半導體薄層尺寸滿足半無限大平面條件時:

  R□=π/ln2×(V/I)=4.532(V/I) 3-4

  若取I1=4.532I,則R□值可由電壓表直接讀出。

  注意:以上的測量都在標準溫度(230 C)下進行,若在其他溫度環(huán)境中測量,應(yīng)乘以該材料的溫度修正系數(shù)FT。

  FT=1-CT(T230) 3-5

  式中:CT為材料的溫度系數(shù)。(請根據(jù)不同材料自行查找)

 ?。?)金屬電阻測試:本儀器也可用作金屬電阻的測量,采用四端子電流-電壓降法,能方便的測量金屬電阻R,測量范圍從100μΩ---200K

  四、 半導體電阻率測試儀

儀器結(jié)構(gòu)

  本儀器為臺式結(jié)構(gòu),分為電氣箱和測試架兩大部分。

  【1】電氣箱為儀器主要電器部分,電氣箱前面板如圖4-1所示:

 

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